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Durabilidad excepcional: Construido para resistir el desgaste diario y brindar una conectividad constante durante mucho tiempo
Dimensión de Empaque: 5 x 26 x 19 cm
electricidad
Dimensiones: 5 x 4
Transistor IRF840 | MOSFET CANAL N 500V 8A Ext3.5 Durabilidad excepcional: Construido para resistirEspecificaciones: Polaridad del transistor: Canal N Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V Voltaje de puerta a fuente VGS: 20 V Corriente continua de drenaje ID: 8 A Corriente de drenaje pulsada IDP: 32 A Corriente de avalancha IAR: 8 A Disipacin de potencia mxima PD (Tc=25 C): 125 W Resistencia de activacin RDS(on) typ: 0. 85 Temperatura de operacin mnima: 55 C Temperatura de operacin mxima: 150 C Encapsulado: TO 220 Nmero: 3